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CREE Sic MOSFET

科銳(Cree)發布第二代碳化硅MOSFET,相比硅材料的解決方案,它可以使系統變得更小,效率更高。在相同的功率密度和開關效率的條件下北京十一选五走势图,比科銳(Cree)第一代MOSFET產品每安培成本下降一半。從這個角度說北京十一选五走势图,它可以降低OEM的系統成本,終端用戶的能耗和安裝運輸成本。

第二代碳化硅MOSFET具有高開關速度低寄生電容,高阻斷電壓低導通電阻正溫度系數北京十一选五走势图北京十一选五走势图,易于并聯北京十一选五走势图,驅動簡單等特點,廣泛用于光伏北京十一选五走势图,開關電源,高壓DCDC變換器,電機驅動等領域;

目前,科銳(Cree)發布的碳化硅MOSFET電壓等級有1200V,1700V北京十一选五走势图,單管型號的導通電阻分別為25mΩ,40mΩ北京十一选五走势图,80mΩ,160mΩ北京十一选五走势图,280mΩ,1Ω;同時科銳(Cree)還發布的碳化硅MOSFET模塊,詳細情況請聯系我們。

1700-V 1200-V SiC MOSFET Packaged 1200-V SiC MOSFET Die
Packaged Die
C2M1000170D New! CPM2-1200-0025B
C2M0080120D CPM2-1200-0080B
C2M0160120D New! CPMF-1200-S080B
CMF10120D CPMF-1200-S160B
CMF20120D  
C2M0025120D  
C2M0040120D  
C2M0280120D  
C2M1000170D

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